兆易创新申请存储芯片测试方法专利，减少因轻微接触不良导致存储芯片误判为失效品的概率

金融界2025年5月2日消息，国家知识产权局信息显示，兆易创新科技集团股份有限公司申请一项名为“存储芯片测试方法、装置、计算机设备及存储介质”的专利，公开号CN119905134A，申请日期为2023年10月。

专利摘要显示，本公开提供了一种存储芯片测试方法、装置、计算机设备及存储介质，涉及半导体技术领域。方法包括：对存储芯片执行M次崩应循环测试，M为大于0的正整数，每次崩应循环测试包括如下步骤：对存储芯片执行N次写操作，其中，N为大于1的正整数；在执行完N次写操作的情况下，对存储芯片进行验证，得到验证结果；基于崩应循环测试后存储芯片的M个验证结果，得到崩应测试结果。本公开执行完M次崩应循环测试后才基于M个验证结果得的崩应测试结果，从而可以减少因轻微接触不良导致存储芯片误判为失效品的概率。此外，在执行完N次写操作后，对存储芯片进行验证，从而减少了崩应测试过程中验证的次数，进而减少崩应测试时长，降低测试成本。

天眼查资料显示，兆易创新科技集团股份有限公司，成立于2005年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本66412.4105万人民币。通过天眼查大数据分析，兆易创新科技集团股份有限公司共对外投资了24家企业，参与招投标项目23次，财产线索方面有商标信息54条，专利信息1311条，此外企业还拥有行政许可8个。

本文源自：金融界

作者：情报员