杭州富芯申请组合图案刻蚀方法专利，平衡组合图案刻蚀速率

金融界2025年5月3日消息，国家知识产权局信息显示，杭州富芯半导体有限公司申请一项名为“组合图案的刻蚀方法”的专利，公开号CN119905400A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请涉及一种组合图案的刻蚀方法，应用于半导体器件中，半导体器件包括衬底及位于衬底上沿垂直衬底方向依次层叠的导电层、介质层、掩膜层和光刻胶层，导电层包括多个金属电极，组合图案包括至少一个沟槽和至少一个通孔，方法包括：以目标刻蚀气压对半导体器件进行刻蚀；输入目标比例的主刻蚀气体和惰性气体，以缩小组合图案中每个沟槽或通孔之间的刻蚀速度差异，使组合图案中每个沟槽或通孔暴露出至少一个金属电极。至少能够通过刻蚀气压和输入目标比例的主刻蚀气体和惰性气体的方式，平衡组合图案之间的刻蚀速率，避免了刻蚀形成的沟槽和/或通孔处出现极大的负载，也避免了对半导体器件的关键电性数据的影响。

天眼查资料显示，杭州富芯半导体有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本945000万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州富芯半导体有限公司参与招投标项目24次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息283条，此外企业还拥有行政许可16个。

本文源自：金融界

作者：情报员