爱思开海力士申请半导体装置以及制造半导体装置的方法专利，可实现半导体装置相关作用

金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置以及制造半导体装置的方法”的专利，公开号 CN 119789427 A，申请日期为2024年2月。

专利摘要显示，本公开涉及半导体装置以及制造半导体装置的方法。半导体装置可以包括：栅极结构，其包括交替堆叠的栅极线和绝缘层；沟道结构，其延伸穿过栅极结构并且包括沟道层和连接到沟道层的沟道焊盘；虚设栅极结构，其包括堆叠的虚设栅极线；虚设沟道结构，其延伸穿过虚设栅极结构并且包括虚设沟道层和连接到虚设沟道层的虚设沟道焊盘；隔离绝缘层，其设置在栅极结构和虚设栅极结构之间；以及虚设焊盘，其在栅极结构和虚设栅极结构之间设置在隔离绝缘层上。

本文源自：金融界

作者：情报员