中科（深圳）无线半导体申请一种氮化镓外延结构及其制备方法专利，有效提升氮化镓外延结构质量和稳定性

金融界2025年4月11日消息，国家知识产权局信息显示，中科（深圳）无线半导体有限公司申请一项名为“一种氮化镓外延结构及其制备方法”的专利，公开号CN 119789471 A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明公开了一种氮化镓外延结构及其制备方法，属于半导体技术领域，包括：Si衬底、AlN 成核层、具有矩形P型掺杂区的AlGaN缓冲层、GaN 通道层、AlGaN势垒层；Si衬底上设置有AlN成核层；AlN成核层上设置有AlGaN缓冲层；AlGaN缓冲层上设置有GaN通道层；AlGaN缓冲层内设置有矩形P型掺杂区；GaN通道层上设置有AlGaN势垒层，其中，AlGaN势垒层的厚度为以氮化镓外延结构达到最大极化强度为目标的厚度；GaN通道层与AlGaN势垒层结合形成异质结，在GaN通道层中形成用于生成载流子的2DEG。有效提升氮化镓外延结构质量和稳定性。

天眼查资料显示，中科（深圳）无线半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币，实缴资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，中科（深圳）无线半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，专利信息33条，此外企业还拥有行政许可8个。

本文源自：金融界

作者：情报员