台达电子申请半导体封装结构及其制造方法专利，能于封装材料中形成穿孔

金融界2025年5月10日消息，国家知识产权局信息显示，台达电子工业股份有限公司申请一项名为“半导体封装结构及其制造方法”的专利，公开号CN119943680A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本揭示提供一种半导体封装结构的制造方法及由该方法所制造的半导体封装结构，所述半导体封装结构的制造方法包括：提供一下模具；设置多个半导体元件于该下模具上；设置多个第一金属结构于该下模具上，其中该等第一金属结构位于该等半导体元件的两侧；提供一上模具，与该下模具接合，以容纳该等半导体元件与该等第一金属结构；填充一封装材料于该下模具与该上模具之间；以及移除该上模具、该下模具、以及该等第一金属结构，以于该封装材料中形成多个穿孔，位于该等半导体元件的两侧。

本文源自：金融界

作者：情报员