杰平方半导体申请半导体衬底抛光专利，降低了抛光对半导体衬底的损伤

金融界2025年5月10日消息，国家知识产权局信息显示，杰平方半导体（上海）有限公司申请一项名为“半导体衬底抛光方法”的专利，公开号CN119943646A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体衬底抛光方法，属于半导体技术领域，该半导体衬底抛光方法，包括以下步骤：提供研磨后的半导体衬底，将所述半导体衬底置于等离子体刻蚀机台基座上；对等离子体刻蚀机台的管道和腔室进行吹扫清理；通入刻蚀气体，刻蚀所述半导体衬底的表面，以去除所述半导体衬底上含有缺陷的部分。通过等离子体刻蚀的方法对半导体衬底进行抛光，抛光厚度较低，耗时短，降低了抛光对半导体衬底的损伤。

天眼查资料显示，杰平方半导体（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本8430.1797万人民币。通过天眼查大数据分析，杰平方半导体（上海）有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息32条，专利信息56条，此外企业还拥有行政许可2个。

本文源自：金融界

作者：情报员