上海积塔半导体申请半导体结构及测试方法专利，能够准确监控氧化层的厚度

金融界2025年5月5日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构及半导体结构的测试方法”的专利，公开号CN119920804A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及半导体结构的测试方法。半导体结构包括衬底、氧化层、被测结构及测试结构，氧化层位于衬底上；被测结构包括被测凹槽、第一被测焊盘及第二被测焊盘；被测焊盘位于氧化层内，被测凹槽位于第一被测焊盘及第二被测焊盘之间，位于被测凹槽底部的部分氧化层具有第一预设厚度；测试结构包括测试凹槽、测试金属层、第一测试焊盘及第二测试焊盘；测试焊盘位于氧化层内，测试凹槽位于第一测试焊盘及第二测试焊盘之间，测试金属层位于测试凹槽的底面与衬底之间，第一测试焊盘与测试金属层的首端相连，第二测试焊盘连接至测试金属层的末端，测试金属层具有第二预设厚度；第二预设厚度大于第一预设厚度。能够准确监控氧化层的厚度。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1793次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1042条，此外企业还拥有行政许可191个。

本文源自：金融界

作者：情报员